Gallium phosphide
Gallium phosphide (GaP), a phosphide of gallium, is a compound semiconductor material with an indirect band gap of 2.24 eV at room temperature. Impure polycrystalline material has the appearance of pale orange or grayish pieces. Undoped single crystals are orange, but strongly doped wafers appear darker due to free-carrier absorption. It is odorless and insoluble in water.
Wikipage redirect
Aaron MarcusAluminium gallium indium phosphideAluminium gallium phosphideAnderson's ruleBand gapBoron phosphideCharles H. HenryDoping (semiconductor)Frances M. RossGaPGalliumGallium(III) phosphideGallium antimonideGallium arsenideGallium arsenide phosphideGallium nitrideGapIndium gallium arsenide phosphideIndium gallium phosphideIndium phosphideLight-emitting diode physicsList of CAS numbers by chemical compoundList of inorganic compoundsList of refractive indicesList of semiconductor materialsMetal-induced gap statesMetalorganic vapour-phase epitaxyPhosphidePhosphinePhotoelectrochemical reduction of carbon dioxideSecondary emissionTerahertz time-domain spectroscopyTrimethylgalliumWide-bandgap semiconductor
Link from a Wikipage to another Wikipage
primaryTopic
Gallium phosphide
Gallium phosphide (GaP), a phosphide of gallium, is a compound semiconductor material with an indirect band gap of 2.24 eV at room temperature. Impure polycrystalline material has the appearance of pale orange or grayish pieces. Undoped single crystals are orange, but strongly doped wafers appear darker due to free-carrier absorption. It is odorless and insoluble in water.
has abstract
Fosforek galu (GaP) – nieorgan ...... wiatło o długości fali 555 nm.
@pl
Gallium phosphide (GaP), a pho ...... ther semiconducting materials.
@en
Galliumphosphid ist eine binär ...... id-dotiertes GaP rot (700 nm).
@de
Le phosphure de gallium, GaP, ...... sé de phosphore et de gallium.
@fr
Фосфи́д га́ллия (химическая фо ...... о и красного цветов излучения.
@ru
Фосфід галію (GaP) — непрямозо ...... я провідності p-типу — цинком.
@uk
فوسفيد الغاليوم مركب كيميائي له الصيغة GaP ، ويكون على شكل بلورات برتقالية .
@ar
リン化ガリウム（リンかガリウム、GaP、gallium phosphide）は、ガリウムのリン化物で、2.26 eV（300 K）の間接バンドギャップを持つ化合物半導体である。
@ja
磷化鎵（GaP）是鎵的磷化物，是無機化合物，也是半導體材料， ...... een)時為3.45，波長840 nm(IR)時為3.19。
@zh
alternative name
Gallium(III) phosphide
@en
gallanylidynephosphane
@en
IUPAC name
Gallium phosphide
@en
Link from a Wikipage to an external page
Wikipage page ID
page length (characters) of wiki page
Wikipage revision ID
976,623,275
Link from a Wikipage to another Wikipage
imagecaption
GaP ingots
@en
GaP wafer
@en
ImageFile
@en
@en
@en
IUPACName
Gallium phosphide
@en
OtherNames
Gallium phosphide
@en
gallanylidynephosphane
@en
verifiedrevid
477,001,151
wikiPageUsesTemplate
subject
hypernym
comment
Fosforek galu (GaP) – nieorgan ...... wiatło o długości fali 555 nm.
@pl
Gallium phosphide (GaP), a pho ...... orless and insoluble in water.
@en
Galliumphosphid ist eine binär ...... id-dotiertes GaP rot (700 nm).
@de
Le phosphure de gallium, GaP, ...... sé de phosphore et de gallium.
@fr
Фосфи́д га́ллия (химическая фо ...... о и красного цветов излучения.
@ru
Фосфід галію (GaP) — непрямозо ...... я провідності p-типу — цинком.
@uk
فوسفيد الغاليوم مركب كيميائي له الصيغة GaP ، ويكون على شكل بلورات برتقالية .
@ar
リン化ガリウム（リンかガリウム、GaP、gallium phosphide）は、ガリウムのリン化物で、2.26 eV（300 K）の間接バンドギャップを持つ化合物半導体である。
@ja
磷化鎵（GaP）是鎵的磷化物，是無機化合物，也是半導體材料， ...... een)時為3.45，波長840 nm(IR)時為3.19。
@zh
label
Fosforek galu
@pl
Gallium phosphide
@en
Galliumphosphid
@de
Phosphure de gallium
@fr
Фосфид галлия
@ru
Фосфід галію
@uk
فوسفيد الغاليوم
@ar
リン化ガリウム
@ja
磷化鎵
@zh