Tight binding
Die Tight-Binding-Methode (engl. enge Bindung; abgekürzt TB oder TBM) dient zum Berechnen der elektronischen Bandstruktur von Festkörpern oder Molekülen. Sie ist deutlich weniger rechenintensiv als die Dichtefunktionaltheorie (DFT), da hier meist nur die Valenzelektronen berechnet, die Wechselwirkungen der ersten Nachbaratome in Form von Parametern berücksichtigt und Ein-Elektron-Betrachtungen durchgeführt werden. Es wird eine atomzentrierte Basis angenommen. Im Gegensatz zur k·p-Methode ist Tight-Binding eine atomistische Methode, wodurch Grenzflächeneffekte (z. B. in Oberflächenchemie und Oberflächenphysik) berücksichtigt werden können.
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Amsterdam Density FunctionalBloch's theoremBose–Hubbard modelCP2KCoNTubConductive polymerCubic harmonicDFTBDavid TománekDensity of statesEffective mass (solid-state physics)Electronic band structureElectronic correlationElectronic properties of grapheneEmbedded atom modelErnesto EstradaFree electron modelGrapheneHarris functionalHofstadter's butterflyHopfield dielectricHubbard modelIndex of physics articles (T)Interatomic potentialJohn C. SlaterKoster (surname)Landau quantizationLinear combination of atomic orbitalsMetallic bondingMolecular dynamicsMott insulatorNanoLanguageNearly free electron modelOutline of electronicsPLATO (computational chemistry)Peierls substitutionPer-Olov LöwdinRashba effectSankar Das SarmaSlater Koster Tight-Binding method
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Tight binding
Die Tight-Binding-Methode (engl. enge Bindung; abgekürzt TB oder TBM) dient zum Berechnen der elektronischen Bandstruktur von Festkörpern oder Molekülen. Sie ist deutlich weniger rechenintensiv als die Dichtefunktionaltheorie (DFT), da hier meist nur die Valenzelektronen berechnet, die Wechselwirkungen der ersten Nachbaratome in Form von Parametern berücksichtigt und Ein-Elektron-Betrachtungen durchgeführt werden. Es wird eine atomzentrierte Basis angenommen. Im Gegensatz zur k·p-Methode ist Tight-Binding eine atomistische Methode, wodurch Grenzflächeneffekte (z. B. in Oberflächenchemie und Oberflächenphysik) berücksichtigt werden können.
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Die Tight-Binding-Methode (eng ...... en Schichten oder Oberflächen.
@de
En Física del Estado Sólido, e ...... ultados donde el método falla.
@es
Het tight-binding model (sterk ...... tummechanica onontbeerlijk is.
@nl
Il metodo Tight Binding, in it ...... opportuni fattori correttivi.
@it
В приближении сильно связанных ...... ими методами, наподобие (RPA).
@ru
Наближення сильного зв'язку - ...... томами кристала у вузьку зону.
@uk
固体物理学において、強結合近似（きょうけつごうきんじ、英: ...... として用いられる。強束縛近似、タイトバインディング近似とも。
@ja
在固体物理学中，紧束缚近似（英語：tight-binding ...... 关系紧密。 和近自由电子近似不同，紧束缚模型适用范围大得多。
@zh
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Die Tight-Binding-Methode (eng ...... berücksichtigt werden können.
@de
En Física del Estado Sólido, e ...... ultados donde el método falla.
@es
Het tight-binding model (sterk ...... geleiding en warmtecapaciteit.
@nl
Il metodo Tight Binding, in it ...... opportuni fattori correttivi.
@it
В приближении сильно связанных ...... комбинацией атомных орбиталей
@ru
Наближення сильного зв'язку - ...... гамільтоніана , , при . , де .
@uk
固体物理学において、強結合近似（きょうけつごうきんじ、英: ...... として用いられる。強束縛近似、タイトバインディング近似とも。
@ja
在固体物理学中，紧束缚近似（英語：tight-binding ...... 关系紧密。 和近自由电子近似不同，紧束缚模型适用范围大得多。
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Metodo Tight Binding
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Tight Binding Model
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Tight binding
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Tight-Binding-Methode
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Наближення сильного зв'язку
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Приближение сильно связанных электронов
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強結合近似
@ja
紧束缚近似
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밀접 결합 근사
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