about
Anomalous photoluminescence in InP1-xBixClosing the bandgap for III-V nitrides toward mid-infrared and THz applications.Nanoscale distribution of Bi atoms in InP1-xBix.Metamorphic InAs1-xBix/In0.83Al0.17As quantum well structures on InP for mid-infrared emissionNearly lattice-matched short-wave infrared InGaAsBi detectors on InP
P2860
description
2014 nî lūn-bûn
@nan
2014 թուականի Յունիսին հրատարակուած գիտական յօդուած
@hyw
2014 թվականի հունիսին հրատարակված գիտական հոդված
@hy
2014年の論文
@ja
2014年論文
@yue
2014年論文
@zh-hant
2014年論文
@zh-hk
2014年論文
@zh-mo
2014年論文
@zh-tw
2014年论文
@wuu
name
InPBi single crystals grown by molecular beam epitaxy
@ast
InPBi single crystals grown by molecular beam epitaxy
@en
type
label
InPBi single crystals grown by molecular beam epitaxy
@ast
InPBi single crystals grown by molecular beam epitaxy
@en
prefLabel
InPBi single crystals grown by molecular beam epitaxy
@ast
InPBi single crystals grown by molecular beam epitaxy
@en
P2093
P356
P1433
P1476
InPBi single crystals grown by molecular beam epitaxy
@en
P2093
P2888
P356
10.1038/SREP05449
P407
P577
2014-06-26T00:00:00Z
P5875
P6179
1024020282