Se-doping dependence of the transport properties in CBE-grown InAs nanowire field effect transistors.
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Se-doping dependence of the transport properties in CBE-grown InAs nanowire field effect transistors.
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2012 nî lūn-bûn
@nan
2012年の論文
@ja
2012年論文
@yue
2012年論文
@zh-hant
2012年論文
@zh-hk
2012年論文
@zh-mo
2012年論文
@zh-tw
2012年论文
@wuu
2012年论文
@zh
2012年论文
@zh-cn
name
Se-doping dependence of the tr ...... wire field effect transistors.
@en
type
label
Se-doping dependence of the tr ...... wire field effect transistors.
@en
prefLabel
Se-doping dependence of the tr ...... wire field effect transistors.
@en
P2860
P50
P356
P1476
Se-doping dependence of the tr ...... wire field effect transistors.
@en
P2093
Leonardo Viti
Miriam S Vitiello
P2860
P2888
P356
10.1186/1556-276X-7-159
P577
2012-02-28T00:00:00Z
P5875
P6179
1038523049