Analytical modeling of uniaxial strain effects on the performance of double-gate graphene nanoribbon field-effect transistors.
about
Analytical modeling of uniaxial strain effects on the performance of double-gate graphene nanoribbon field-effect transistors.
description
2014 nî lūn-bûn
@nan
2014 թուականի Փետրուարին հրատարակուած գիտական յօդուած
@hyw
2014 թվականի փետրվարին հրատարակված գիտական հոդված
@hy
2014年の論文
@ja
2014年論文
@yue
2014年論文
@zh-hant
2014年論文
@zh-hk
2014年論文
@zh-mo
2014年論文
@zh-tw
2014年论文
@wuu
name
Analytical modeling of uniaxia ...... bbon field-effect transistors.
@ast
Analytical modeling of uniaxia ...... bbon field-effect transistors.
@en
type
label
Analytical modeling of uniaxia ...... bbon field-effect transistors.
@ast
Analytical modeling of uniaxia ...... bbon field-effect transistors.
@en
prefLabel
Analytical modeling of uniaxia ...... bbon field-effect transistors.
@ast
Analytical modeling of uniaxia ...... bbon field-effect transistors.
@en
P2860
P356
P1476
Analytical modeling of uniaxia ...... bbon field-effect transistors.
@en
P2093
George S Kliros
P2860
P2888
P356
10.1186/1556-276X-9-65
P577
2014-02-08T00:00:00Z
P6179
1039254897