about
Various Quantum- and Nano-Structures by III-V Droplet Epitaxy on GaAs SubstratesFormation of Ga droplets on patterned GaAs (100) by molecular beam epitaxy.Anisotropic Confinement, Electronic Coupling and Strain Induced Effects Detected by Valence-Band Anisotropy in Self-Assembled Quantum Dots.Formation of Nanopits in Si Capping Layers on SiGe Quantum Dots.Self-organization of quantum-dot pairs by high-temperature droplet epitaxy.
P2860
description
2001 nî lūn-bûn
@nan
2001 թուականի Սեպտեմբերին հրատարակուած գիտական յօդուած
@hyw
2001 թվականի սեպտեմբերին հրատարակված գիտական հոդված
@hy
2001年の論文
@ja
2001年論文
@yue
2001年論文
@zh-hant
2001年論文
@zh-hk
2001年論文
@zh-mo
2001年論文
@zh-tw
2001年论文
@wuu
name
Quantum computing.
@ast
Quantum computing.
@en
type
label
Quantum computing.
@ast
Quantum computing.
@en
prefLabel
Quantum computing.
@ast
Quantum computing.
@en
P2093
P2860
P356
P1476
Quantum computing
@en
P2093
P2860
P304
11847-11848
P356
10.1073/PNAS.191373698
P407
P50
P577
2001-09-18T00:00:00Z