Analysis of flicker noise for improved data retention characteristics in silicon-oxide-high-k-oxide-silicon flash memory using N2 implantation.
about
Analysis of flicker noise for improved data retention characteristics in silicon-oxide-high-k-oxide-silicon flash memory using N2 implantation.
description
2013 nî lūn-bûn
@nan
2013 թուականի Մայիսին հրատարակուած գիտական յօդուած
@hyw
2013 թվականի մայիսին հրատարակված գիտական հոդված
@hy
2013年の論文
@ja
2013年論文
@yue
2013年論文
@zh-hant
2013年論文
@zh-hk
2013年論文
@zh-mo
2013年論文
@zh-tw
2013年论文
@wuu
name
Analysis of flicker noise for ...... memory using N2 implantation.
@ast
Analysis of flicker noise for ...... memory using N2 implantation.
@en
type
label
Analysis of flicker noise for ...... memory using N2 implantation.
@ast
Analysis of flicker noise for ...... memory using N2 implantation.
@en
prefLabel
Analysis of flicker noise for ...... memory using N2 implantation.
@ast
Analysis of flicker noise for ...... memory using N2 implantation.
@en
P2093
P356
P1476
Analysis of flicker noise for ...... memory using N2 implantation.
@en
P2093
P304
P356
10.1166/JNN.2013.7294
P407
P577
2013-05-01T00:00:00Z