Laser-power dependence of absorption changes in Ge-doped SiO2 glass induced by a KrF excimer laser.
about
Laser-power dependence of absorption changes in Ge-doped SiO2 glass induced by a KrF excimer laser.
description
1996 nî lūn-bûn
@nan
1996 թուականի Ապրիլին հրատարակուած գիտական յօդուած
@hyw
1996 թվականի ապրիլին հրատարակված գիտական հոդված
@hy
1996年の論文
@ja
1996年論文
@yue
1996年論文
@zh-hant
1996年論文
@zh-hk
1996年論文
@zh-mo
1996年論文
@zh-tw
1996年论文
@wuu
name
Laser-power dependence of abso ...... nduced by a KrF excimer laser.
@ast
Laser-power dependence of abso ...... nduced by a KrF excimer laser.
@en
type
label
Laser-power dependence of abso ...... nduced by a KrF excimer laser.
@ast
Laser-power dependence of abso ...... nduced by a KrF excimer laser.
@en
prefLabel
Laser-power dependence of abso ...... nduced by a KrF excimer laser.
@ast
Laser-power dependence of abso ...... nduced by a KrF excimer laser.
@en
P2093
P2860
P356
P1433
P1476
Laser-power dependence of abso ...... nduced by a KrF excimer laser.
@en
P2093
P2860
P304
P356
10.1103/PHYSREVB.53.9859
P407
P577
1996-04-01T00:00:00Z