Aluminum gallium nitride (GaN)/GaN high electron mobility transistor-based sensors for glucose detection in exhaled breath condensate.
about
Aluminum gallium nitride (GaN)/GaN high electron mobility transistor-based sensors for glucose detection in exhaled breath condensate.
description
2010 nî lūn-bûn
@nan
2010 թուականի Յունուարին հրատարակուած գիտական յօդուած
@hyw
2010 թվականի հունվարին հրատարակված գիտական հոդված
@hy
2010年の論文
@ja
2010年論文
@yue
2010年論文
@zh-hant
2010年論文
@zh-hk
2010年論文
@zh-mo
2010年論文
@zh-tw
2010年论文
@wuu
name
Aluminum gallium nitride (GaN) ...... in exhaled breath condensate.
@ast
Aluminum gallium nitride (GaN) ...... in exhaled breath condensate.
@en
type
label
Aluminum gallium nitride (GaN) ...... in exhaled breath condensate.
@ast
Aluminum gallium nitride (GaN) ...... in exhaled breath condensate.
@en
prefLabel
Aluminum gallium nitride (GaN) ...... in exhaled breath condensate.
@ast
Aluminum gallium nitride (GaN) ...... in exhaled breath condensate.
@en
P2093
P2860
P1476
Aluminum gallium nitride (GaN) ...... in exhaled breath condensate.
@en
P2093
Andrew Sciullo
Brent P Gila
Byoung Sam Kang
Byung Hwan Chu
Ke Hung Chen
Sheng Chun Hung
Stephen J Pearton
P2860
P304
P356
10.1177/193229681000400122
P577
2010-01-01T00:00:00Z