In Situ Studies of the Interaction of Dislocations with Point Defects during Annealing of Ion Implanted Si/SiGe/Si (001) Heterostructures.
about
In Situ Studies of the Interaction of Dislocations with Point Defects during Annealing of Ion Implanted Si/SiGe/Si (001) Heterostructures.
description
1998 nî lūn-bûn
@nan
1998 թուականի Մայիսին հրատարակուած գիտական յօդուած
@hyw
1998 թվականի մայիսին հրատարակված գիտական հոդված
@hy
1998年の論文
@ja
1998年論文
@yue
1998年論文
@zh-hant
1998年論文
@zh-hk
1998年論文
@zh-mo
1998年論文
@zh-tw
1998年论文
@wuu
name
In Situ Studies of the Interac ...... iGe/Si (001) Heterostructures.
@ast
In Situ Studies of the Interac ...... iGe/Si (001) Heterostructures.
@en
type
label
In Situ Studies of the Interac ...... iGe/Si (001) Heterostructures.
@ast
In Situ Studies of the Interac ...... iGe/Si (001) Heterostructures.
@en
prefLabel
In Situ Studies of the Interac ...... iGe/Si (001) Heterostructures.
@ast
In Situ Studies of the Interac ...... iGe/Si (001) Heterostructures.
@en
P2093
P1476
In Situ Studies of the Interac ...... SiGe/Si (001) Heterostructures
@en
P2093
P304
P356
10.1017/S1431927698980308
P577
1998-05-01T00:00:00Z