Geometrical structure and interface dependence of bias stress induced threshold voltage shift in C60-based OFETs.
about
Geometrical structure and interface dependence of bias stress induced threshold voltage shift in C60-based OFETs.
description
2014 nî lūn-bûn
@nan
2014 թուականի Օգոստոսին հրատարակուած գիտական յօդուած
@hyw
2014 թվականի օգոստոսին հրատարակված գիտական հոդված
@hy
2014年の論文
@ja
2014年学术文章
@wuu
2014年学术文章
@zh-cn
2014年学术文章
@zh-hans
2014年学术文章
@zh-my
2014年学术文章
@zh-sg
2014年學術文章
@yue
name
Geometrical structure and inte ...... tage shift in C60-based OFETs.
@ast
Geometrical structure and inte ...... tage shift in C60-based OFETs.
@en
Geometrical structure and inte ...... tage shift in C60-based OFETs.
@nl
type
label
Geometrical structure and inte ...... tage shift in C60-based OFETs.
@ast
Geometrical structure and inte ...... tage shift in C60-based OFETs.
@en
Geometrical structure and inte ...... tage shift in C60-based OFETs.
@nl
prefLabel
Geometrical structure and inte ...... tage shift in C60-based OFETs.
@ast
Geometrical structure and inte ...... tage shift in C60-based OFETs.
@en
Geometrical structure and inte ...... tage shift in C60-based OFETs.
@nl
P2093
P2860
P356
P1476
Geometrical structure and inte ...... tage shift in C60-based OFETs.
@en
P2093
Andrey Kadashchuk
Clemens Simbrunner
Günther Schwabegger
Helmut Sitter
Muhammad Aslam Baig
Rizwan Ahmed
P2860
P304
15148-15153
P356
10.1021/AM5032192
P407
P577
2014-08-28T00:00:00Z