High vertical yield InP nanowire growth on Si(111) using a thin buffer layer.
about
High vertical yield InP nanowire growth on Si(111) using a thin buffer layer.
description
2013 nî lūn-bûn
@nan
2013年の論文
@ja
2013年学术文章
@wuu
2013年学术文章
@zh
2013年学术文章
@zh-cn
2013年学术文章
@zh-hans
2013年学术文章
@zh-my
2013年学术文章
@zh-sg
2013年學術文章
@yue
2013年學術文章
@zh-hant
name
High vertical yield InP nanowire growth on Si
@nl
High vertical yield InP nanowire growth on Si(111) using a thin buffer layer.
@en
type
label
High vertical yield InP nanowire growth on Si
@nl
High vertical yield InP nanowire growth on Si(111) using a thin buffer layer.
@en
prefLabel
High vertical yield InP nanowire growth on Si
@nl
High vertical yield InP nanowire growth on Si(111) using a thin buffer layer.
@en
P50
P356
P1433
P1476
High vertical yield InP nanowire growth on Si(111) using a thin buffer layer
@en
P2093
P304
P356
10.1088/0957-4484/24/46/465602
P577
2013-10-24T00:00:00Z