Carrier Localization Effects in InGaN/GaN Multiple-Quantum-Wells LED Nanowires: Luminescence Quantum Efficiency Improvement and "Negative" Thermal Activation Energy
about
Carrier Localization Effects in InGaN/GaN Multiple-Quantum-Wells LED Nanowires: Luminescence Quantum Efficiency Improvement and "Negative" Thermal Activation Energy
description
2016 nî lūn-bûn
@nan
2016 թուականի Սեպտեմբերին հրատարակուած գիտական յօդուած
@hyw
2016 թվականի սեպտեմբերին հրատարակված գիտական հոդված
@hy
2016年の論文
@ja
2016年論文
@yue
2016年論文
@zh-hant
2016年論文
@zh-hk
2016年論文
@zh-mo
2016年論文
@zh-tw
2016年论文
@wuu
name
Carrier Localization Effects i ...... ive" Thermal Activation Energy
@ast
Carrier Localization Effects i ...... ive" Thermal Activation Energy
@en
type
label
Carrier Localization Effects i ...... ive" Thermal Activation Energy
@ast
Carrier Localization Effects i ...... ive" Thermal Activation Energy
@en
prefLabel
Carrier Localization Effects i ...... ive" Thermal Activation Energy
@ast
Carrier Localization Effects i ...... ive" Thermal Activation Energy
@en
P2093
P2860
P356
P1433
P1476
Carrier Localization Effects i ...... ive" Thermal Activation Energy
@en
P2093
Changcheng Zheng
Zhicheng Su
P2860
P2888
P356
10.1038/SREP34545
P407
P577
2016-09-30T00:00:00Z
P6179
1007352183