Indium gallium nitride
El nitruro de galio-indio (InGaN, IndioxGalio1-xNitruro) es un material semiconductor hecho de una mezcla de nitruro de galio (GaN) y nitruro de Indio (InN). Pertenece al grupo de semiconductores III/ V. Su banda prohibida puede ser manipulada variando la cantidad de Indio en la aleación. En el InGaN, la relación para los materiales InGa es usualmente 0.02/0.98 y 0.3/0.7.
Wikipage redirect
Aluminium gallium indium phosphideBlue laserDoping (semiconductor)Failure of electronic componentsGalliumGallium nitrideHeterojunction bipolar transistorHigh-electron-mobility transistorInGaNIndiumIndium arsenideIndium gallium phosphideIndium nitrideLaser diodeLaser pointerLight-emitting diodeLight-emitting diode physicsList of LED failure modesList of laser typesList of semiconductor materialsMetalorganic vapour-phase epitaxyMicroLEDMulti-junction solar cellPhosphorPhotoluminescenceQuantum wellRachel Oliver (scientist)TrimethylgalliumTrimethylindium
Link from a Wikipage to another Wikipage
primaryTopic
Indium gallium nitride
El nitruro de galio-indio (InGaN, IndioxGalio1-xNitruro) es un material semiconductor hecho de una mezcla de nitruro de galio (GaN) y nitruro de Indio (InN). Pertenece al grupo de semiconductores III/ V. Su banda prohibida puede ser manipulada variando la cantidad de Indio en la aleación. En el InGaN, la relación para los materiales InGa es usualmente 0.02/0.98 y 0.3/0.7.
has abstract
El nitruro de galio-indio (InG ...... ualmente 0.02/0.98 y 0.3/0.7.
@es
Indiumgalliumnitrid (InGaN, In ...... er Solarzellen liegt bei 50 %.
@de
Le Nitrure de gallium-indium ( ...... qu'entre 0,02/0,98 et 0,3/0,7.
@fr
窒化インジウムガリウム（ちっかインジウムガリウム）はインジウ ...... め、その性質を利用して半導体素子の材料として多用されている。
@ja
Wikipage page ID
page length (characters) of wiki page
Wikipage revision ID
1,000,260,288
Link from a Wikipage to another Wikipage
wikiPageUsesTemplate
subject
hypernym
comment
El nitruro de galio-indio (InG ...... ualmente 0.02/0.98 y 0.3/0.7.
@es
Indiumgalliumnitrid (InGaN, In ...... rd als es bisher der Fall war.
@de
Le Nitrure de gallium-indium ( ...... qu'entre 0,02/0,98 et 0,3/0,7.
@fr
窒化インジウムガリウム（ちっかインジウムガリウム）はインジウ ...... め、その性質を利用して半導体素子の材料として多用されている。
@ja
label
Indium gallium nitride
@en
Indiumgalliumnitrid
@de
Nitrure de gallium-indium
@fr
Nitruro de galio-indio
@es
窒化インジウムガリウム
@ja