Asymmetry-induced resistive switching in Ag-Ag2S-Ag memristors enabling a simplified atomic-scale memory design
about
Asymmetry-induced resistive switching in Ag-Ag2S-Ag memristors enabling a simplified atomic-scale memory design
description
2016 nî lūn-bûn
@nan
2016 թուականի Օգոստոսին հրատարակուած գիտական յօդուած
@hyw
2016 թվականի օգոստոսին հրատարակված գիտական հոդված
@hy
2016年の論文
@ja
2016年論文
@yue
2016年論文
@zh-hant
2016年論文
@zh-hk
2016年論文
@zh-mo
2016年論文
@zh-tw
2016年论文
@wuu
name
Asymmetry-induced resistive sw ...... ied atomic-scale memory design
@ast
Asymmetry-induced resistive sw ...... ied atomic-scale memory design
@en
Asymmetry-induced resistive sw ...... ied atomic-scale memory design
@nl
type
label
Asymmetry-induced resistive sw ...... ied atomic-scale memory design
@ast
Asymmetry-induced resistive sw ...... ied atomic-scale memory design
@en
Asymmetry-induced resistive sw ...... ied atomic-scale memory design
@nl
prefLabel
Asymmetry-induced resistive sw ...... ied atomic-scale memory design
@ast
Asymmetry-induced resistive sw ...... ied atomic-scale memory design
@en
Asymmetry-induced resistive sw ...... ied atomic-scale memory design
@nl
P2093
P2860
P50
P3181
P356
P1433
P1476
Asymmetry-induced resistive sw ...... ied atomic-scale memory design
@en
P2093
András Halbritter
György Mihály
László Pósa
P2860
P2888
P3181
P356
10.1038/SREP30775
P407
P577
2016-08-04T00:00:00Z
P6179
1017665897
P698
P818
1604.04168