Silicon epitaxy on H-terminated Si (100) surfaces at 250 °C.
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Silicon epitaxy on H-terminated Si (100) surfaces at 250 °C.
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2016 nî lūn-bûn
@nan
2016年の論文
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@yue
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@zh-hant
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Silicon epitaxy on H-terminated Si (100) surfaces at 250 °C.
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Silicon epitaxy on H-terminated Si (100) surfaces at 250 °C.
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Silicon epitaxy on H-terminated Si (100) surfaces at 250 °C.
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Silicon epitaxy on H-terminated Si (100) surfaces at 250 °C.
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P2093
P2860
P1476
Silicon epitaxy on H-terminated Si (100) surfaces at 250 °C
@en
P2093
Alline F Myers
Gheorghe Stan
Pradeep Namboodiri
Richard M Silver
Tongbao Li
Xinbin Cheng
P2860
P304
P356
10.1016/J.APSUSC.2016.03.212
P50
P577
2016-03-31T00:00:00Z